[发明专利]数据存取时间降低的半导体存储装置有效

专利信息
申请号: 200310103611.0 申请日: 2003-10-29
公开(公告)号: CN1499525A 公开(公告)日: 2004-05-26
发明(设计)人: 安进弘;洪祥熏;金世俊;高在范 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: G11C11/40 分类号: G11C11/40
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 王学强
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种存储装置,包括以下部分:至少两个单元块,该单元块与响应指令输出数据的全局位线相连;至少一个全局位线连接单元,该连接单元在一个控制块的控制下有选择的连接全局位线与每个单元块,全局位线连接单元位于两个单元块之间;如上所述的控制块,该控制块用于控制将每个单元块内的数据输出到全局位线上及将全局位线上的数据恢复到原来的单元块或另一单元块,具体的选择由响应下一指令的数据是由原来的单元块输出还是由另一单元块输出来决定。
搜索关键词: 数据 存取 时间 降低 半导体 存储 装置
【主权项】:
1.一种存储装置,包括:至少两个单元块,所述单元块与响应指令输出数据的全局位线相连;至少一个全局位线连接单元用于在一控制块的控制下有选择地将该全局位线连接至每个单元块,一个全局位线连接单元被分配在所述两个单元块之间;且所述控制块用于控制将存储在每个单元块内的数据输出到该全局位线上,及控制将该全局位线上的输出数据恢复到原始单元块或另一单元块,其由响应下一指令的数据是由该原始单元块输出还是由另一单元块输出来决定。
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