[发明专利]非易失性半导体存储装置有效
申请号: | 200310103636.0 | 申请日: | 2003-11-06 |
公开(公告)号: | CN1499517A | 公开(公告)日: | 2004-05-26 |
发明(设计)人: | 松冈伸明 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | G11C11/00 | 分类号: | G11C11/00;G11C16/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 陈瑞丰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种非易失性半导体存储装置,包括:能够存储多个数据值的第一存储单元;能够存储多个数据值的第二存储单元;能够调节电阻的电阻调节部分,该电阻调节部分调节电阻,以减小连接到第一存储单元的第一连接线的电阻值与连接到第二存储单元的第二连接线的电阻值之间的差值。 | ||
搜索关键词: | 非易失性 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】:
1.一种非易失性半导体存储装置,包括:能够存储多个数据值的第一存储单元;能够存储多个数据值的第二存储单元;能够调节电阻的电阻调节部分,该电阻调节部分调节电阻,以减小连接到第一存储单元的第一连接线的电阻值与连接到第二存储单元的第二连接线的电阻值之间的差值。
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