[发明专利]平板显示器及其制造方法有效
| 申请号： | 200310103663.8 | 申请日： | 2003-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN1501336A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 具在本;朴商一 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | G09F9/33 | 分类号： | G09F9/33;G09G3/32;H01L21/00;H01L51/40;H05B33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有多个象素的平板显示器。每个单元象素至少有一个第一晶体管和一个第二晶体管，并且第一晶体管的半导体层具有不同于第二晶体管半导体层的迁移率。本发明还公开了一种制造包括至少一个第一晶体管和一个第二晶体管的平板显示器的方法，该方法包括以下步骤：在绝缘基底上形成一非晶硅膜；将所述非晶硅膜晶化为多晶硅膜，该多晶硅膜至少分为具有第一迁移率的第一区和具有第二迁移率的第二区。该方法还包括通过对所述多晶硅膜构图而由具有第一迁移率的区形成所述第一晶体管的半导体层、由具有第二迁移率的区形成所述第二晶体管的半导体层的步骤，其中第一迁移率不同于第二迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 平板 显示器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种平板显示器，包括多个象素，每个象素包括至少一个第一晶体管和一个第二晶体管，其中，所述第一晶体管的半导体层的迁移率不同于所述第二晶体管的半导体层的迁移率。
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