[发明专利]制程反应室的定压控制方法及其调压阀有效
| 申请号： | 200310103697.7 | 申请日： | 2003-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN1508852A | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | 张知天;吴学昌;巫尚霖;黄见翎;彭进兴;周梅生 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑特强 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制程反应室的定压控制方法，通过一PID控制器控制第一调压阀和至少一个第二调压阀，对制程反应室执行第一预定压力控制，且第一调压阀的反应时间比第二调压阀的反应时间较长，该定压控制方法叙述如下：(a)第一调压阀提供该制程反应室第二预定压力；(b)第二调压阀对制程反应室执行压力的控制，将压力由第二预定压力调整至第一预定压力。本发明还提供一种用于制程反应室定压的调压阀，以实现上述控制方法。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 控制 方法 及其 调压 | ||
【主权项】：
1.一种制程反应室的定压控制方法，其通过一PID控制器控制第一调压阀和至少一第二调压阀，对该制程反应室执行一第一预定压力控制，且第一调压阀的反应时间比第二调压阀的反应时间较长，其特征在于：该定压控制方法至少包含：该第一调压阀提供该制程反应室一第二预定压力；以及该第二调压阀，对该制程反应室执行压力的控制，将压力由该第二预定压力调整至该第一预定压力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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