[发明专利]金属镶嵌的制造方法及其结构有效
| 申请号： | 200310103699.6 | 申请日： | 2003-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1518091A | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | 吴振诚;卢永诚;陈盈淙;章勋明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑特强 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种金属镶嵌的制造方法及其结构，此制造方法先于一基础层上方依序沉积一蚀刻终止层与一介电层，然后于介电层与蚀刻终止层中形成一开孔，再于介电层表面与开孔侧边及底部沉积一碳化硅层，最后于开孔中形成一金属层。本发明的碳化硅层可避免金属层扩散至介电层，从而降低漏电流，并能提高与半导体组件可靠度相关的时依性介电崩溃时间与改善偏压温度冲击性能。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 镶嵌 制造 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
1.一种金属镶嵌的制造方法，该制造方法至少包括下列步骤：于一基础层上方依序沉积一蚀刻终止层与一介电层；于该介电层与该蚀刻终止层中形成一开孔；其特征在于：该方法还包括以下步骤：于该介电层表面与该开孔侧边及底部沉积一碳化硅层；以及于该开孔中形成一金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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