[发明专利]含有绝缘栅场效应晶体管的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明目的在于提供含有具备易于控制阈值电压而且栅绝缘膜的可靠性优良的栅结构的绝缘栅型场效应晶体管的半导体器件及其制造方法。作成为这样的结构：形成N沟MISFET区和P沟MISFET区，作为N沟MISFET的栅电极具有第1金属硅化物膜115，作为P沟MISFET的栅电极具有第2金属硅化物膜119。首先，在栅电极区上形成了第1金属硅化物膜115之后，在P沟MISFET区上形成第1金属膜117。接着，当进行热处理时，在P沟MISFET的栅电极上形成的第1金属膜117就与在其下边的第1金属硅化物膜115产生固相反应，把P沟MISFET的栅电极变换成第2金属硅化物膜119。

主权项

1.一种含有绝缘栅型场效应晶体管的半导体器件，其特征在于：具有：半导体衬底；在上述半导体衬底上设置把第1和第2元件区围起来的元件隔离区；在上述第1元件区上形成，同时，至少与栅电极膜上的栅绝缘膜接连的区域用第1金属硅化物构成的N沟场效应晶体管；在上述第2元件区上形成，同时，栅电极膜，是从由与构成上述第1金属硅化物的金属不同的金属构成的第2金属硅化物、和作为上述第1金属硅化物的构成材料的金属以及与上述第1金属硅化物相同的构成材料，而且，硅含有量比上述第1金属硅化物少的第3金属硅化物中选择的至少一种构成的P沟场效应晶体管，上述N沟场效应晶体管的栅电极膜的功函数，比上述P沟场效应晶体管的栅电极膜的功函数小。