[发明专利]一种超高强度超高导电性纳米孪晶铜材料及制备方法有效
| 申请号： | 200310104274.7 | 申请日： | 2003-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1498987A | 公开（公告）日： | 2004-05-26 |
| 发明（设计）人： | 卢磊;斯晓;申勇峰;卢柯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C25C1/12 | 分类号： | C25C1/12 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人： | 许宗富;周秀梅 |
| 地址： | 110016辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及纳米晶体金属材料，具体地说是一种超高强度超高导电性纳米孪晶铜材料及制备方法。利用电解沉积技术制备，制备出高纯度的多晶体Cu材料，其微观结构由近于等轴的亚微米300～1000nm晶粒组成，在晶粒内部存在高密度的不同取向的孪晶片层结构，取向相同的孪晶片层之间相互平行，孪晶片层的厚度从几个纳米到100nm，其长度为100～500nm。本发明与现有技术相比，性能优异。该材料室温拉伸时屈服强度可达900MPa，断裂强度可达1086MPa，这种超高强度是在利用其它多种方法制备的相同化学成分的铜材料所不可及的。同时，低温电阻测试发现，该材料的导电能力非常好，接近于普通粗晶体铜材料的导电率，其室温电阻率为1.75±0.02×10－8Ω·m，相当于96％IACS。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超高 强度 导电性 纳米 孪晶铜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超高强度超高导电性纳米孪晶铜材料，其特征在于：其微观结构由近于等轴的亚微米晶粒组成，在晶粒内部存在高密度的不同取向的孪晶片层结构，取向相同的孪晶片层之间相互平行，孪晶片层的厚度从几个纳米到100nm，其长度为100～500nm。
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