[发明专利]具有自行更新装置以减少功率耗损的半导体存储装置有效
| 申请号： | 200310104481.2 | 申请日： | 2003-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN1499527A | 公开（公告）日： | 2004-05-26 |
| 发明（设计）人： | 金容欺 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;G11C11/406 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临;王志森 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明揭示一种在一防止数据损失的自行更新操作中减少功率耗损的存储装置。为此目的，在本发明中，在进入自行更新模式后，在为每个固定时间间隔启动的一自行更新期间内实施一更新操作的存储装置包括：一低功率控制器，用于在自行更新模式中使能该低功率控制器后的自行更新期间，输出一用于使能电源供应构件的使能信号；以及一电源供应构件，其接收该使能信息，用以通过使用一外部供电电压及一接地电压来供应要在一内部电路使用的低电压与高电压，其中该低电压是低于该接地电压，该高电压是高于该外部供电电压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 自行 更新 装置 减少 功率 耗损 半导体 存储 | ||
【主权项】：
1.一种在进入自行更新模式后在为每个固定时间间隔启动的一自行更新期间内实施一更新操作的存储装置，包括：一低功率控制器，用于在自行更新模式中使能该低功率控制器后的自行更新期间，输出一用于使能电源供应构件的使能信号；以及一电源供应构件，其接收该使能信号，用以通过使用一外部供电电压及一接地电压来供应要在一内部电路使用的低电压与高电压，其中该低电压低于该接地电压，该高电压高于该外部供电电压。
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