[发明专利]掺镱硼酸钆钇氧钙自倍频激光晶体无效
申请号: | 200310104505.4 | 申请日: | 2003-10-20 |
公开(公告)号: | CN1609287A | 公开(公告)日: | 2005-04-27 |
发明(设计)人: | 王国富;张彦;林州斌;胡祖树;张莉珍 | 申请(专利权)人: | 中国科学院福建物质结构研究所 |
主分类号: | C30B29/22 | 分类号: | C30B29/22;H01S3/16 |
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地址: | 350002福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明涉及人工晶体领域,特别是涉及一种自倍频激光晶体材料掺镱硼酸钆钇氧钙[Yb3+:Gd1-xYxCa4O(BO3)3]及其制备方法。该晶体属于单斜晶系,空间群为Cm,晶胞参数为a=8.080,b=16.014,c=3.539,β=101.18°,V=449.2长掺镱硼酸钆钇氧钙单晶,其生长温度为1481℃~1550℃,拉速为0.5~3mm/h,晶转15~40rmp,可生长出高质量、大尺寸的掺镱硼酸钆钇氧钙自倍频激光晶体。 | ||
搜索关键词: | 硼酸 钆钇氧钙 倍频 激光 晶体 | ||
【主权项】:
1.一种掺镱硼酸钆钇氧钙自倍频激光晶体,其特征在于:该晶体的分子式为Yb3+:Gd1-xYxCa4O(BO3)3,属于单斜晶系,空间群为Cm,晶胞参数为:a=8.080,b=16.014,c=3.539,β=101.18°,V=449.23,折射率为1.69。
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