[发明专利]高频组件、模式变换结构及方法无效
| 申请号： | 200310104615.0 | 申请日： | 2003-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN1499667A | 公开（公告）日： | 2004-05-26 |
| 发明（设计）人： | 福永达也 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01P5/08 | 分类号： | H01P5/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种高频组件和模式变换结构及方法，能够在多个波导之间很好地进行TEM模式和其它模式的模式变换。为此，本发明的高频组件具有传输TEM模式的电磁波的作为第1波导的微带线路10和与该第1波导偶合传输和TEM模式不同的其它模式的电磁波的作为第2波导的多层结构的波导管型波导20。第1波导的端部在与接地电极的积层方向正交的方向上直接或间接地与第2波导的1个接地电极导通。使第1波导和第2波导的磁场方向在E面内一致来进行磁场偶合，所以，能够在多个波导之间很好地进行TEM模式和其它模式的模式变换。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 组件 模式 变换 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高频组件，其特征在于：具有传输TEM模式的电磁波的第1波导和与所述第1波导偶合传输和TEM模式不同的其它模式的电磁波的第2波导，所述第2波导具有互相对置的至少2层的接地电极和由使至少2层的接地电极之间导通的导电体包围的区域，电磁波在所述区域内传输，所述第1波导在与所述接地电极的积层方向正交的方向上延伸，其端部在与所述积层方向正交的方向上直接或间接地与所述第2波导的1个接地电极导通，而且，所述第1波导和所述第2波导在所述第2波导的E面进行磁场偶合，使所述第1波导传输的电磁波的磁场方向和所述第2波导传输的电磁波的磁场方向一致。
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