[发明专利]适用于快闪的字节操作的非易失存储技术

摘要

本发明提供一种非易失性存储单元结构，适合于快闪存储单元和EEPROM单元(电擦除可编程只读存储单元)，以执行字节编程和字节擦除操作。在编程操作中，一个较高负电压施加到漏极区，这样，产生热空穴，以减少经过横向电场内隧道氧化层进入浮动栅极的热电子。另外，栅极电压约为阈值电压，它依赖于集成电路装置设计。此外，非易失性存储单元利用沟通Fowler－Nordheim隧道效应进行擦除操作。为了执行字节擦除操作，将漏极结用作一个禁止开关。这样，通过将漏极偏置到接地，禁止相同字线上未选单元。因此，未选单元的字线接地。

主权项

1、一种非易失性存储单元结构，其特征在于，所述结构包括：N-型井区，在衬底内；沟道区，在P型源极区和P型漏极区之间，其中所述P型的导电型与所述N型相反；第一绝缘层，在所述N型井区的所述表面；浮动栅极，在所述第一绝缘层上面；第二绝缘层，在所述浮动栅上；及控制栅极，在所述第二绝缘层上，其中，通过将擦除电压施加到所述P型漏极区，将电源电压施加到所述控制栅极，并将所述擦除电压施加到所述N型井区，擦除所述非易失性存储单元。