[发明专利]半导体激光器件，制作方法以及光盘的重现和记录单元无效
| 申请号： | 200310104682.2 | 申请日： | 2003-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN1499685A | 公开（公告）日： | 2004-05-26 |
| 发明（设计）人： | 河西秀典;山本圭;蛭川秀一 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/00;G11B11/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体激光器件具有至少一层第一导电型下覆盖层，一层量子势阱活性层和一层第二导电型上覆盖层，它们是堆积在第一导电型GaAs基底上的。该量子势阱活性层是由交替堆积的、由以InGaAs为基的材料制成的阻挡层和势阱层组成的。该量了势阱活性层是在用第二导电型杂质掺杂中生长的，为的是让该半导体激光器件除具有长的寿命之外，即使在大功率的驱动这时也能显示出高可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 制作方法 以及 光盘 重现 记录 单元 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器件，其特征在于，包括：第一导电型半导体基底；第一导电型下覆盖层，它沉积在第一导电型半导体基底上；量子势阱活性层，它沉积在第一导电型下覆盖层上，它由交替堆积的阻挡层和势阱层组成；以及第二导电型上覆盖层，它沉积在量子势阱活性层上，其中量子势阱活性层是用第二导电型杂质来掺杂的。
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