[发明专利]能够进行高速处理的半导体存储装置无效
| 申请号： | 200310104710.0 | 申请日： | 2003-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN1499524A | 公开（公告）日： | 2004-05-26 |
| 发明（设计）人： | 加藤光司;大岛成夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34;G11C11/4193;G11C11/4197 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体存储装置具备存储器单元阵列、指令解码器和输入输出控制电路。存储器单元阵列由排列的多个存储数据的存储器单元构成。指令解码器对从外部输入的指令进行解码。输入输出控制电路依据从上述指令解码器的输出，控制向上述存储器单元的数据写入、向外部的数据输出。所以，在指示写入的写指令被输入到上述指令解码器时从外部取得的写入数据在输入了上述写指令后输入了2次后的写指令的定时，被写入到上述存储器单元。 | ||
| 搜索关键词： | 能够 进行 高速 处理 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其特征在于包括：配置了多个用于存储数据的存储器单元的存储器单元阵列；对从外部输入的指令进行解码的指令解码器；以及依据从上述指令解码器的输出，对向上述存储器单元的数据写入和向外部的数据输出进行控制的输入输出控制电路，其中在上述指令解码器输入了指示写入的写指令的时候，从外部取得的写入数据在输入了上述写指令后输入了2次后的写指令的定时，被写入上述存储器单元。
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