[发明专利]具有包括缓冲层的熔丝结构的集成电路器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200310104734.6 | 申请日： | 2003-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1499628A | 公开（公告）日： | 2004-05-26 |
| 发明（设计）人： | 金铉哲 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L27/00;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜;谷惠敏 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种集成电路器件，包括具有熔丝区的集成电路衬底。在集成电路衬底上提供定义熔丝区的窗口层。窗口层位于集成电路器件上部且凹陷在集成电路器件的表面之下。在集成电路衬底和窗口层之间提供缓冲图形，在缓冲图形和窗口层之间提供熔丝图形。还描述了形成集成电路器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 包括 缓冲 结构 集成电路 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路器件，包括：具有熔丝区的集成电路衬底；在集成电路衬底上定义熔丝区的窗口层，窗口层位于集成电路器件的上部和凹陷在集成电路器件的表面之下；集成电路衬底和窗口层之间的缓冲图形；以及缓冲图形和窗口层之间的熔丝图形。
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