[发明专利]制造掺杂高挥发性异物的硅单晶的方法有效
| 申请号： | 200310104772.1 | 申请日： | 2003-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN1498988A | 公开（公告）日： | 2004-05-26 |
| 发明（设计）人： | 马丁·韦伯;彼得·维尔茨曼;埃里希·格迈尔鲍尔;罗伯特·沃尔布希纳 | 申请（专利权）人： | 瓦克硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 联邦德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种通过由预定加工条件下容纳在坩埚内的熔化物抽拉硅单晶来制造掺杂高挥发性异物的硅单晶的方法，坩埚内添加适量异物N0以达成该熔化物的预期电阻，于t时间之后，将数量为ΔN(t)的异物后掺杂在熔化物内至少一次，以补偿异物蒸发出熔化物所造成的损失，其中异物的量ΔN(t)是依照方程式ΔN(t)＝N0－N(t)＝N0·(1－e－λa·t)或依照近似方程式ΔN(t)＝N0·λa·t计算出来的，式中λa是说明异物加工特殊蒸发性质的蒸发系数，且是已经测量另一单晶的电阻分布R(t)之后并依照方程式R(t)＝R0·eλa·t计算求得，其中R0是起始电阻率，并且所述另一单晶是在预定加工条件下抽拉，但未经后掺杂异物。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 掺杂 挥发性 异物 硅单晶 方法 | ||
【主权项】：
1、一种通过由预定加工条件下容纳在坩埚内的熔化物抽拉硅单晶来制造掺杂高挥发性异物的硅单晶的方法，坩埚内添加适量异物N0 以达成该熔化物的预期电阻，于t时间之后，将数量为ΔN(t)的异物后掺杂在熔化物内至少一次，以补偿异物蒸发出熔化物所造成的损失，其中异物的量ΔN(t)是依照方程式ΔN(t)＝N0-N(t)＝N0·(1-e-λa·t)或依照近似方程式ΔN(t)＝N0·λa·t计算出来的，式中λa是说明异物加工特殊蒸发性质的蒸发系数，且是已经测量另一单晶的电阻分布R(t)之后并依照方程式R(t)＝R0·eλa·t计算求得，其中R0是起始电阻率，并且所述另一单晶是在预定加工条件下抽拉，但未经后掺杂异物。
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