[发明专利]二硅化钼电热元件或耐高温结构件的生产方法

摘要

本发明是一种利用粉末冶金技术来制备二硅化钼电热元件或耐高温结构件的方法。本发明是将粉体颗粒体积百分比含量为16～64％的Si、0～70％的(Mo_1－zW_z)Si₂、0～40％的Mo₃Si、0～50％的(Mo_1－zW_z)₅Si₃、以及0～45％的陶瓷和粘土等混合粉料制成胚件，在非氧化环境中进行烧结，其中，烧结温度高于Si相的熔点，低于上述Mo－Si系的三个化合物及它们的共晶体的熔点，z=0～0.5，表示晶体中W原子数对W、Mo原子总数的比例。Si与(Mo_1－zW_z)₅Si₃或Mo₃Si反应合成(Mo_1－zW_z)Si₂相，并使晶粒直接结合，所以不但可提高材料的高、中、低温性能，降低生产成本，而且适应性广，可满足不同性能和成本要求的二硅化钼元件或构件。

主权项

1、一种二硅化钼电热元件或耐高温结构件的生产方法，所说的二硅化钼是指MoSi2或(Mo1-zWz)Si2，或者是以MoSi2或(Mo1-zWz)Si2为基的复合材料，其中z＝0～0.5，表示(Mo1-zWz)Si2晶体中W原子数对W、Mo原子总数的比例，其生产步骤是1)制备由Mo3Si相、(Mo1-z′Wz′)5Si3相、(Mo1-z′Wz′)Si2相和Si相的粉体及其它粉体所组成的混合粉料，其中z′表示晶体中W原子数对W、Mo原子总数的比例；所说的其它粉体是指陶瓷晶须、陶瓷颗粒或熔点低于Si相熔点的粘土中的一种或几种；在上述混合粉体中各组分的体积百分比含量是：Si相颗粒为16～64％，Mo3Si相颗粒为0～40％，(Mo1-z′Wz′)5Si3相颗粒为0～50％，(Mo1-z′Wz′)Si2相颗粒为0～70％，其它粉体颗粒为0～45％，各组分含量之和为100％；并且该混合粉料中Mo3Si相、(Mo1-z′Wz′)5Si3相、(Mo1-z′Wz′)Si2相和Si相中Mo、W和Si原子的总体配比与上述(Mo1-zWz)Si2的相同；以上所说的组份的体积是指该组份所有颗粒的实际体积之和；2)用上述混合粉料制成胚件；3)将上述胚件在非氧化环境中进行烧结，获得二硅化钼烧结体，所说的烧结是常压烧结、热压或热等静压烧结中的一种，其中，烧结温度高于Si相的熔点，低于Mo3Si相、(Mo1-z′Wz′)5Si3相和(Mo1-z′Wz′)Si2相及它们的共晶体的熔点；4)对上述烧结体进行后续处理，得上述电热元件或耐高温结构件，所说的后续处理是指金属铝渗入处理、孔隙填充处理、氮化处理和塞隆陶瓷化处理、脱钠处理，表面处理、整形处理、弯曲变形处理和焊接连接处理中的一种或几种。