[发明专利]脊形波导式半导体光器件及其制作方法无效
| 申请号： | 200310106541.4 | 申请日： | 2003-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1624994A | 公开（公告）日： | 2005-06-08 |
| 发明（设计）人： | 陈农 | 申请（专利权）人： | 陈农 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 | 代理人： | 何梅生 |
| 地址： | 230061安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 脊形波导式半导体光器件及其制作方法，具有层状结构，自下而上依次为下部电极层、半导体衬底层、活性层和上部包被薄层，其特征是在上部包被薄层的上方为平板状绝缘层，其中央具有宽度可事先设定制作的电流注入通道，其上方以电流注入通道为中心，具有脊形上部包被厚层，上部包被厚层的上面为电流接触层，上部电极层整体覆盖在电流接触层以及绝缘层的表面。本发明在结构上和制作技术上有成本很低、成品率高而且不限制设计自由、有利于器件性能的极大提高等优点，广泛适用于半导体激光器，发光二极管、半导体光放大器和集成光器件等。 | ||
| 搜索关键词： | 脊形波导 半导体 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、脊形波导式半导体光器件具有层状结构，所述层状结构自下而上依次为下部电极层(1)、半导体衬底层(2)、活性层(3)和上部包被薄层(4)，其特征是在所述上部包被薄层(4)的上方为平板状绝缘层(5)、在所述平板状绝缘层(5)的中央具有宽度可事先设定制作的电流注入通道(5a)，在平板状绝缘层(5)的上方、以电流注入通道(5a)为中心，具有脊形上部包被厚层(6)，上部包被厚层(6)的上面为电流接触层(7)，上部电极层(9)整体覆盖在包括电流接触层(7)以及绝缘层(5)的表面。
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