[发明专利]制备纳米薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种一种制备纳米薄膜的方法，旨在提供一种使用等离子化学沉积法制备纳米薄膜的方法。该方法包括下述步骤：使用抽直空系统将反应室内达到预真空状态；打开电炉加热，使衬底温度达到300－380℃，并使反应室的真空度继续达到预真空状态；将高纯度氢气通人反应室内，稳定后，打开R.F交流电源，处理20－30分钟；之后关掉R.F交流电源及氢气源，使反应室内真空度回复到原来预真空度，稳定后，通入混合的硅烷气，使反应室内真空度达到1.0－1.5乇；待上述过程稳定后，重新打开R.F交流电源并根据所要沉积的硅膜的微晶粒的大小调节功率，待R.F辉光稳定后，打开D.C电源，使直流负偏压为200－300V，即可沉积并形成纳米薄膜。

主权项

1.一种制备纳米薄膜的方法，包括下述步骤：(1)使用抽直空系统将反应室内的空气抽空，使反应室内的真空度达到预真空状态；(2)将安装在衬底电极上的电炉打开，通电加热，使衬底温度达到300-380℃，并继续抽气，使反应室的真空度继续达到预真空状态；(3)将纯度为99.999％的高纯度氢气通人反应室内，使反应室内真空度保持在1-2乇范围内，稳定后，打开R.F交流电源源，处理20-30分钟；(4)关掉R.F交流电源及氢气源，使反应室内真空度回复到原来预真空度，稳定后，通入C＝SiH4/SiH4+H2＝1.5-2.5％的混合的硅烷气，使反应室内真空度达到1.0-1.5乇；(5)待上述过程稳定后，重新打开R.F交流电源并根据所要沉积的硅膜的微晶粒的大小调节功率，待R.F辉光稳定后(颜色为淡红色)，打开D.C电源，使直流负偏压为200-300V，即可沉积并形成纳米薄膜。