[发明专利]高分子正温度系数热敏电阻器及其制造方法无效
| 申请号： | 200310107808.1 | 申请日： | 2003-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN1529329A | 公开（公告）日： | 2004-09-15 |
| 发明（设计）人： | 侯李明;王军;秦玉廷;杨兆国 | 申请（专利权）人： | 上海维安热电材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/02 | 分类号： | H01C7/02 |
| 代理公司： | 上海东亚专利代理有限公司 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 201206上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高分子正温度系数热敏电阻器及其制造方法。一种高分子正温度系数热敏电阻器，由高分子PTC芯材和金属箔片电极构成的芯片，其中金属箔片电极贴覆于所述芯材的同一侧面。所述的高分子正温度系数热敏电阻器的制造方法，第一步，分别将芯材各组分高分子聚合物、碳黑、无机填料和加工助剂在100～200℃温度下混炼；第二步，用压制方法制成一面贴覆金属箔片的复合片材；第三步，再将此复合片材用γ射线(Co60)或电子辐照交联，然后将片材切割成一定尺寸的小片，在贴覆于芯材的金属箔片电极上刻蚀出具有一定几何形状、一定宽度的分割线，将上述金属箔片电极分割为不相连接的两部分，即制得高分子正温度系数热敏电阻器。 | ||
| 搜索关键词： | 高分子 温度 系数 热敏 电阻器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1一种高分子正温度系数热敏电阻器，由高分子PTC芯材和金属箔片电极构成的芯片，其特征在于：金属箔片电极贴覆于所述芯材的同一侧面。
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