[发明专利]铝酸钆基发光薄膜材料芯片及其制备方法无效
| 申请号： | 200310107830.6 | 申请日： | 2003-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN1528856A | 公开（公告）日： | 2004-09-15 |
| 发明（设计）人： | 刘茜;罗岚;刘庆峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C09K11/08 | 分类号： | C09K11/08;H05B33/14;H05B33/10;C23C14/06 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了铝酸钆基发光薄膜材料芯片及其制备方法。所制备的薄膜材料芯片化学通式为：Gd1－xAlyOz：Rex，y值范围为0～5/3(从纯氧化钆相Gd2O3到石榴石铝酸钆相Gd3Al5O12的所有配比铝酸钆晶相)，Re为稀土元素(Eu、Pr、Ce)，Re的掺杂克分子量范围在0～25％。0≤x≤0.25，0≤y≤5/3，3/2≤z≤12/3。发明的主要特征为：芯片制备中采用离子束溅射顺序沉积芯片组元、沉积过程中使用组合材料芯片技术中的旋转掩膜和连续移动掩膜技术控制化学组元的沉积种类和沉积量、芯片热处理采用低温扩散和高温晶化两步热处理方法。所获得的阵列样品分别具有在紫外光(254nm)激发下发射红光的特征。 | ||
| 搜索关键词： | 铝酸钆基 发光 薄膜 材料 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种铝酸钆基发光薄膜材料芯片，其特征在于薄膜材料芯片的化学组成为： Gd1-xAlyOz：Rex 式中Re为Eu、Pr或Ce三种稀土元素中的一种或任意二种组合，Re的掺入量为0～25％克分子；0≤x≤0.25，0≤y≤5/3，3/2≤z≤12/3。
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