[发明专利]在金属层蚀刻后移除光阻的方法无效
| 申请号： | 200310108120.5 | 申请日： | 2003-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN1610079A | 公开（公告）日： | 2005-04-27 |
| 发明（设计）人： | 张双燻 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/321 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种在金属层蚀刻后移除光阻的方法，其是在传统的干式湿式移除光阻制程中加入一电浆蚀刻制程，来加速移除位于金属侧壁上的沉积合物与金属残留物，进而减少下一湿式移除制程所需时间，与降低产生微光刻现象危险，此外更可以用于纳米级的制程里来获得较广的金属架桥短路现象。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在金属层蚀刻后移除光阻的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一具有MOS组件的半导体基底，其上依序形成有一金属层及一图案化光阻层；以所述图案化光阻层为光刻对所述金属层进行蚀刻；以及对所述半导体基底进行光阻移除的三步骤制程：对所述光阻层进行一干式去光阻制程；以一包含氯化硼、氯与氧粒子的电浆对该半导体基底进行干式蚀刻；以及对所术半导体基底进行湿式光阻移除制程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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