[发明专利]半导体电阻元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200310108123.9 | 申请日： | 2003-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN1610015A | 公开（公告）日： | 2005-04-27 |
| 发明（设计）人： | 高荣正 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体电阻元件及其制造方法。当多晶硅作为电阻元件时，其两侧形成金属硅化物具有接触垫用于与外部导线连接。然而如电阻元件为高电阻系数时，金属硅化物与其阻障氧化层之间会产生界面电阻，其会因电压及温度变化，造成电阻值不稳定。本发明则提供将一高浓度的离子注入于多晶硅电阻元件的两端，且此高浓度离子注入步骤是在金属硅化物形成之前进行的；这样电阻元件的两侧在金属硅化物下方的多晶硅的电阻系数较低，以大大降低此界面电阻，使电阻元件受电压和温度的变化可大为减小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 电阻 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体电阻元件，其特征在于，其结构包括：一半导体基底，其上可形成有一多晶硅层；二金属硅化物，其形成于所述多晶硅层的两侧表面；一阻障氧化层，位于所述二金属硅化物之间的多晶硅层表面；二高浓度的离子掺杂区域，其形成于所述二金属硅化物下方的所述多晶硅层内；以及一氧化层，覆盖于所述阻障氧化层与所述二金属硅化物的表面，仅露出部份所述金属硅化物以作为接触垫。
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