[发明专利]具有微影光阻检测图案的光刻及其检测方法无效
申请号: | 200310108190.0 | 申请日: | 2003-10-27 |
公开(公告)号: | CN1612055A | 公开(公告)日: | 2005-05-04 |
发明(设计)人: | 傅国贵 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G03F9/00 | 分类号: | G03F9/00;G03F7/00 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201203上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种具有微影光阻检测图案的光刻及其检测方法,其利用形成于光刻上的四个检测图案来对第一层光阻的曝光情况进行光刻置放判断,其克服了传统程中需要完成第一层与第二层微影光阻图案化后才能对第一光刻置放进行校对的缺陷,进而避免制程成本上的浪费,且根据检测图案的图形的扭曲位置可提供工程师获得更多制程失效的相关信息。 | ||
搜索关键词: | 具有 微影光阻 检测 图案 光刻 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种具有微影光阻检测图案的光刻,其特征在于,其包括:一布局图案区;以及一外部图案区,其位于该布局图案区的外围,且其上可形成:一第一校准图案区,其检测图案的排列是以该第一校准图案区中心为一坐标轴(0,0)中心,以坐标(1+4a,0),(-1-4b,0),(0,1+4c),(0,-1-4d),(1+4e,1+4e),(-1-4f,-1-4f),(1+4g,-1-4g),与(-1-4h,1+4h)在第一校准图案区取检测图形点,其中a、b、c、d、e、f g、与h为自然数;一第二校准图案区,其检测图形取点的排列是以该第二校准图案区中心为一坐标轴(0,0)中心,以坐标(2+4i,0),(-2-4j,0),(0,2+4k),(0,-2-4l),(2+4m,2+4m),(-2-4n,-2-4n),(1+4p,-1-4p),与(-2-4q,2+4q)在第二校准图案区取检测图形点,其中i、j、k、l、m、n、p与q为自然数;一第三校准图案区,其检测图形取点的排列是以该第三校准图案区中心为一坐标轴(0,0)中心,以坐标(3+4r,0),(-3-4s,0),(0,3+4t),(0,-3-4u),(3+4v,3+4v),(-3-4w,-3-4w),(3+4z,-3-4z),与(-3-4A,3+4A)在第三校准图案区取检测图形点,其中r、s、t、u、v、w、z与A为自然数;以及一第四校准图案区,其检测图形取点的排列是以该第四图案区中心为一坐标轴(0,0)中心,以坐标(4+4B,0),(-4-4C,0),(0,4+4D),(0,-4-4E),(4+4F,1+4F),(-4-4G,-4-4G),(4+4H,-4-4H),与(-4-4I,4+4I)在第四校准图案区取检测图形点,其中B、C、D、E、F、G、H与I为自然数。
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