[发明专利]c轴取向铌酸锂晶体薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200310108253.2 | 申请日： | 2003-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1540043A | 公开（公告）日： | 2004-10-27 |
| 发明（设计）人： | 叶志镇;王新昌;何军辉;赵炳辉 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/30 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种c轴取向铌酸锂晶体薄膜的制备方法，该方法是采用脉冲激光沉积，以非晶SiO2薄膜作为缓冲层在硅单晶衬底上生长c轴取向LiNbO3晶体薄膜，其步骤如下：首先采用热氧化技术在硅衬底上生长出非晶SiO2薄膜；然后以氧化后的硅为衬底，以等化学计量比LiNbO3多晶陶瓷或富锂LiNbO3多晶陶瓷为靶材，放入脉冲激光沉积设备的真空室中，靶材与衬底之间距离在3－5cm，通入高纯氧气进行沉积，氧压保持在10－50Pa，激光频率在1－7Hz，沉积温度在500℃－650℃，生长c轴取向LiNbO3晶体薄膜。本发明方法制备工艺简单，所得LiNbO3晶体薄膜具有良好的c轴择优取向性。 | ||
| 搜索关键词： | 取向 铌酸锂 晶体 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、c轴取向铌酸锂晶体薄膜的制备方法，其特征在于步骤如下：(1)将清洗后的硅单晶片放入退火炉中，在常压下持续通入高纯氧气进行氧化，氧化温度为800℃-1100℃，氧化时间1-8小时，生成非晶SiO2薄膜；(2)以氧化后的硅为衬底，以等化学计量比LiNbO3多晶陶瓷或富锂LiNbO3多晶陶瓷为靶材，放入脉冲激光沉积设备的真空室中，靶材与衬底之间距离在3-5cm，通入高纯氧气进行沉积，氧压保持在10-50Pa，激光频率在1-7Hz，沉积温度在500℃-650℃，生长c轴取向LiNbO3晶体薄膜，沉积结束后，在40-80min降温至150℃，然后自然冷却至室温即可.降温过程中使真空室保持30Pa氧压。
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