[发明专利]一种用于制造闪烁存储器控制栅堆积结构形成工艺的改进方法无效
| 申请号： | 200310108277.8 | 申请日： | 2003-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN1540722A | 公开（公告）日： | 2004-10-27 |
| 发明（设计）人： | 王刘坤 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹（集团）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8234;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 滕怀流;陶金龙 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路制造工艺技术领域，具体涉及一种制造闪烁存储器(FLASH)控制栅堆积结构的改进工艺。在部分重叠双栅闪烁存储器制造工艺中，控制栅堆积结构形成步骤：在浮栅形成之后进行第二次隧道栅氧化，接着分别淀积一层多晶硅和硅化钨，再淀积一层氧化膜。这种工艺存在许多缺点。本发明提出了一种新的控制栅堆积结构形成的改进工艺，即在多晶硅和硅化钨薄膜淀积之后不再淀积一层氧化膜；只要一步干法刻蚀工序，降低了工艺复杂性和生产成本；为了提高第二次隧道栅氧化质量，用NO气体进行高温退火，提高了成品率和具有更高的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制造 闪烁 存储器 控制 堆积 结构 形成 工艺 改进 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于制造闪烁存储器控制栅堆积结构改进工艺，其特征在于在闪烁存储器前道工艺集成制造过程中，在浮栅形成之后，控制栅形成之前，采用如下工序：(1)进行第二次隧道栅氧化预清洗；(2)进行第二次隧道栅氧化，形成SiO2/HTO/SiO2三层结构；(3)淀积多晶硅及其掺杂；(4)淀积硅化钨薄膜；(5)进行常规光刻工序；(6)干法刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
