[发明专利]太阳电池少数载流子寿命分析仪无效
申请号: | 200310108310.7 | 申请日: | 2003-10-30 |
公开(公告)号: | CN1540735A | 公开(公告)日: | 2004-10-27 |
发明(设计)人: | 徐林;陈凤翔;崔容强 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L31/18;G01N22/00;G01N21/00 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 | 代理人: | 毛翠莹 |
地址: | 200240*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种太阳电池少数载流子寿命分析仪,微波系统由微波源、隔离器、衰减器、魔T、短路活塞、微波晶体检波器、变容二级管、面天线组成,数据采集及处理系统由数据采集器、计算机组成,采用四矩形微带面天线实现微波信号向被测样品的输出和对发射微波的接收,专用的信号调理与放大电路对微波晶体检波器输出的信号进行隔直、差分、放大、屏蔽、滤波,再进入数据采集器,获得光电导衰退曲线的数字量。本发明采用微波反射法耦合光电导信号,通过测量微波反射功率的变化来测量光电导的变化,从光电导衰退曲线计算被测硅片和太阳电池的少子寿命,实现了对太阳电池器件和材料进行在线微波反射无损非接触测量。 | ||
搜索关键词: | 太阳电池 少数 载流子 寿命 分析 | ||
【主权项】:
1、一种太阳电池少数载流子寿命分析仪,包括脉冲激光系统、微波系统、数据采集及处理系统,其特征在于脉冲激光器发出的激光照射到被测样品上,微波源通过微波波导与波导型隔离器相接,隔离器与波导型衰减器相接,衰减器通过波导同四端口互易元件魔T的一个平分臂相连,魔T的另一个平分臂通过弯波导同微波晶体检波器相连,魔T的E臂与短路活塞相连,魔T的H臂同微带天线相连,微波晶体检波器同信号调理与放大电路相连,信号调理与放大电路同数据采集器相连,数据采集器与计算机相连,计算机通过变容二极管与微波源相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造