[发明专利]磁记录存储器介质用玻璃基片材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200310108398.2 申请日: 2003-11-04
公开(公告)号: CN1541963A 公开(公告)日: 2004-11-03
发明(设计)人: 张建成;王华;顾峰;沈悦;姜盛瑜 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: C03C3/095 分类号: C03C3/095;C03B25/00;G11B5/62;G11B5/73
代理公司: 上海上大专利事务所 代理人: 顾勇华
地址: 200072*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种磁记录存储器介质用玻璃基片材料及其制备方法,属玻璃材料及制备技术领域。本发明的一种磁记录存储器介质用玻璃基片材料,其组成成分及含量(重量百分比)如下:SiO2 60-70%、B2O3 4-9%、Na2O 4.5-6.5%、K2O 0-7%、Li2O 0.1-9%、TiO2 0-5%、Al2O3 3-8%、As2O3+Sb2O3 0.4%、ZnO 0-6.5%、ZrO2 0-5%;另外还需加入适量的碱土金属、稀土元素氧化物。该基片材料制备方法为:按上述的原料的组成及配比进行称量,研磨混合均匀后放入熔炼炉中,加热到1300~1350℃温度,使其熔化,并保温5~6小时,并搅拌;出炉后,将融化的原料放至专用的成形模具中,其模具温度在400~500℃。当成形后,即进入退火炉中热处理,热处理温度为500-550℃,退火时间不超过8小时。并以4~15℃/min冷却至室温,取出即可。
搜索关键词: 记录 存储器 介质 玻璃 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种磁记录存储器介质用玻璃基片材料,其特征在于,该材料是由SiO2-B2O3-Al2O3-Li2O-TiO2-ZnO氧化物构成的硅酸盐系玻璃,其主要的组成成分及含量(重量百分比)如下:SiO2 60-70% B2O3 4-9%Na2O 4.5-6.5% K2O 0-5%Li2O 0.1-9% TiO2 0-5%Al2O3 3-7.5% As2O3+Sb2O3 0.4%ZnO 0-6.5% ZrO2 0-5%碱土金属氧化物 0.2-0.5%稀土元素氧化物 0.2-2%
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海大学,未经上海大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200310108398.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top