[发明专利]垂直温梯法生长掺四价铬硅酸镁晶体的方法无效
| 申请号： | 200310108486.2 | 申请日： | 2003-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN1542170A | 公开（公告）日： | 2004-11-03 |
| 发明（设计）人： | 徐军;李红军;周圣明;司继良;周国清;赵广军;赵志伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/34 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种垂直温梯法生长掺四价铬硅酸镁晶体的方法，包括如下步骤：在温梯炉坩埚的的籽晶槽内放入定向籽晶；在x＝0～0.05的范围内选定x的具体值，按(1+x)∶1比例配备高纯MgCO3和SiO2粉料，按该粉料总量掺入0.18～0.40wt％的氧化铬(Cr2O3)，在混料机中机械混合；用压料机压块成形，直接装入坩埚中，加上坩埚盖，将坩埚密封，置于温梯炉中；边抽真空边升温至600C，充入高纯氩气；持续升温至熔体温度约1890℃±10℃，恒温1～3小时，以5－10℃/小时速率降温，晶体生长完毕，缓慢降温至室温后，打开炉罩，取出晶体。本发明避免了炉内氧化气氛对发热体和保温材料的氧化污染，有效克服了熔体组分因为还原气氛而挥发的问题，晶体质量明显提高。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 温梯法 生长 掺四价铬 硅酸 晶体 方法 | ||
【主权项】：
1、一种垂直温梯法生长掺四价铬硅酸镁晶体的方法，其特征在于关键是：在Cr4+：Mg2SiO4晶体生长原料配方中，采用碳酸镁(MgCO3)和氧化硅(SiO2)为原料，按照(1+x)∶1比例配料，其中x的取值范围是0～0.05，再掺入0.18～0.40wt％的氧化铬(Cr2O3)，压制成块，直接装入坩埚，坩埚密封，然后用垂直温梯法生长掺四价铬硅酸镁晶体，从Cr4+：Mg2SiO4熔体的底部结晶，固液界面自下向上移动地生长晶体。
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