[发明专利]硅酸钆闪烁晶体的生长方法无效
| 申请号： | 200310108610.5 | 申请日： | 2003-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN1544709A | 公开（公告）日： | 2004-11-10 |
| 发明（设计）人： | 赵广军;何晓明;徐军;介明印;曾雄辉;张连翰;周圣明;庞辉勇;周国清 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/34 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种硅酸钆闪烁晶体的生长方法，主要是用和硅酸钆晶体相近结构的硅酸镥、硅酸钇以及硅酸镥钇晶体，化学通式为(Lu1－xYx)2SiO5(0≤x≤1)做籽晶，通过选择合适的下种温度，一般在2200－1980℃范围内，可以生长不开裂的硅酸钆晶体。本发明解决了籽晶加工时的开裂问题，又很好地解决了晶体生长时从籽晶处开裂或断裂问题，极大地提高了生长硅酸钆闪烁晶体的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 硅酸 闪烁 晶体 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种硅酸钆闪烁晶体的生长方法，其特征是用和硅酸钆晶体相近结构的硅酸镥、硅酸钇以及硅酸镥钇晶体，化学通式为(Lu1-xYx)2SiO5(0≤x≤1)做籽晶，通过选择合适的下种温度，一般在2200-1980℃范围内，将籽晶和熔体接触，开始生长不开裂的硅酸钆晶体。
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