[发明专利]一种熔料补充生长晶体的装置和方法有效
| 申请号： | 200310108634.0 | 申请日： | 2003-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN1544710A | 公开（公告）日： | 2004-11-10 |
| 发明（设计）人： | 郑燕青;陆治平;施尔畏;王绍华;崔素贤 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/28 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种熔料补充生长晶体的装置和方法，属于晶体生长领域。本发明生长装置，包括提拉旋转系统(2、11)、加热控温系统(4、7)和称重系统(1)，排液系统(3、12、9)和多坩埚系统(10、8)；其中排液系统与称量系统相连，排液系统包括排液下降机构(3)、排液导杆(12)和排液模拟体(9)；多坩埚系统包括相互连通的一个生长坩埚(10)和一个或多个补给坩埚(8)。晶体生长时不向补给坩埚中添加原料，而是通过排液的原理在液体中排开相应体积的熔体到生长坩埚中。本发明的生长方法获得的单晶成分均匀性高、成分可调整、光学均匀性好、尺寸大，本发明的生长设备简单、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 补充 生长 晶体 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种熔料补充生长晶体的装置，包括提拉旋转系统(2、11)、加热控温系统(4、7)和称重系统(1)，其特征在于装置组成还包括排液系统和多坩埚系统；所述的排液系统(3、12、9)与称量系统相连，排液系统包括排液下降机构(3)、排液导杆(12)和排液模拟体(9)；所述的多坩埚系统包括相互连通的一个生长坩埚(10)和一个或多个补给坩埚(8)。
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