[发明专利]通过离子注入实现晶粒更加细小的鈷硅化物工艺无效
| 申请号： | 200310108835.0 | 申请日： | 2003-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN1545136A | 公开（公告）日： | 2004-11-10 |
| 发明（设计）人： | 胡恒声 | 申请（专利权）人： | 上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/477 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 滕怀流;陶金龙 |
| 地址： | 200020上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属集成电路制造工艺技术领域。为了能够在更先进的技术下满足结漏电的要求，需要对现有的钴硅化物工艺进行改进，方法之一是在CoSi或者CoSi2形成以后，通过离子注入的方法，将不同种类的离子，以中等剂量、较高能量注入到硅衬底中，通过打碎CoSi的晶粒以便于在随后的RTP中形成晶粒与普通工艺相比更加细小的CoSi2。通过这种方法，可以令钴硅化物可以在0.13μm以下的工艺中继续使用，并获得令人满意的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 离子 注入 实现 晶粒 更加 细小 鈷硅化物 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种实现晶粒更加细小的集成电路钴硅化物的工艺，其特征在于在形成钴硅化物CoSi或者Co2Si后，通过离子注入的方法，将不同种类的离子注入穿过CoSi到衬底中，通过随后的第二次快速热退火，以形成晶粒更加细小的钴硅化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
