[发明专利]双终点检测控制STI CMP工艺氮化硅厚度稳定性的方法无效
| 申请号： | 200310108838.4 | 申请日： | 2003-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN1544940A | 公开（公告）日： | 2004-11-10 |
| 发明（设计）人： | 金虎 | 申请（专利权）人： | 上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G01N33/40 | 分类号： | G01N33/40 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 滕怀流;陶金龙 |
| 地址： | 200020上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 浅槽隔离技术(STI)是随着深亚微米集成电路技术的发展，而产生的一种新兴的场区隔离技术。该技术具有特征尺寸小、集成度高、隔离效果好的特点。但是，该技术同时存在工艺复杂、控制困难的问题，其中较为突出的是在CMP工艺中的Dishing和Erosion的问题，对浅槽隔离工艺的重要指标‘Overhead’产生影响，为了控制‘Overhead’在一定的范围内，要求CMP工艺后有稳定的氮化硅厚度，本发明采用两步终点检测系统的控制方法，解决了采用一步终点检测系统，由于批次间研磨速率和批次间膜厚变化造成的误检出和最大时间自动终止的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 终点 检测 控制 sti cmp 工艺 氮化 厚度 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
1、一种控制在浅槽隔离工艺中化学机械抛光后氮化硅残膜厚度稳定性的方法，其特征在于，由第一次的终点检测结果来确定第一阶段的研磨时间，以保证在第二阶段的最终研磨的终点检测中不发生误检出的现象，由第二次的终点检测结果来确定最终研磨时间。
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