[发明专利]纳米金属有机络合物贮氢材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200310109081.0 | 申请日： | 2003-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN1546495A | 公开（公告）日： | 2004-11-17 |
| 发明（设计）人： | 陈国荣;孙大林;徐华华;曹冠英 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C07F1/08 | 分类号： | C07F1/08;C07F1/10 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 姚静芳;王福新 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是一种新型纳米金属有机络合物贮氢材料。采用真空饱和蒸气反应法制备了新型的金属有机络合物Ag(TCNQ)和Cu(TCNQ)的纳米线；用溶液化学反应法制备了纳米－微米尺度的管状Ag(TCNQ)和Cu(TCNQ)金属有机络合物。作为初步贮氢性能研究，应用石英晶体微量秤(QCM)的方法评价了Ag(TCNQ)纳米线的贮氢性能，发现在常温常压下Ag(TCNQ)纳米线的重量贮氢量可达1.34％；这类金属有机络合物的贮氢机理是由于晶体结构内部有较大空间及纳米尺度所具有较大的比表面积。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 金属 有机 络合物 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种纳米金属有机络合物贮氢材料，是Ag或Cu与7，7，8，8-四氰基对醌二甲烷(7，7，8，8，-tetracyanoquinodimethane)即TCNQ的金属有机络合物，其特征是该金属有机络合物是正交晶系结构，呈层状结构的纳米线或纳米管，层间距是3.20-3.50，直径是100nm-2.0μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200310109081.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多彩杜鹃花的培育方法
- 下一篇：一种用于水处理的生物活性滤料及其焙制工艺
