[发明专利]适合工业化生产的掺杂锑锰－锆钛酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200310109138.7 | 申请日： | 2003-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1546427A | 公开（公告）日： | 2004-11-17 |
| 发明（设计）人： | 李国荣;朱志刚;殷庆瑞;郑嘹赢 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/491 | 分类号： | C04B35/491;C04B35/622;H01L41/187;H01B3/12 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种适合工业化生产的掺杂锑锰－锆钛酸铅基压电陶瓷材料，属于压电材料领域。本发明向基于锑锰锆钛酸铅(PMS－PZT)的压电陶瓷材料中加入氧化硅、氧化铈和氧化铬等添加物，烧结温度范围为1100℃－1200℃。在机电耦合系数Kp、机械品质因子Qm等压电性能不降低的情况下，同时具有较高的机械强度。这种压电陶瓷材料特别适合在大功率压电陶瓷器件以及Ag/Pd作为内电极的压电多层共烧陶瓷器件中使用。 | ||
| 搜索关键词： | 适合 工业化 生产 掺杂 锆钛酸铅基 压电 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、适合工业化生产的掺杂锑锰-锆钛酸铅基压电陶瓷材料，其特征在于材料的组成为Pb1-aSra(Mn1/3Sb2/3)bZrcTidO3+Nwt％MxOy，其中：0≤a≤0.1、0＜b≤0.1、0.4≤c≤0.5、0.4≤d≤0.5、0.01≤N≤1，b+c+d＝1，MxOy为SiO2、CeO2、Cr2O3中的一种、两种或三种。
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