[发明专利]一种氧化锌同质结p－n结材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200310109139.1 | 申请日： | 2003-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1547264A | 公开（公告）日： | 2004-11-17 |
| 发明（设计）人： | 边继明;李效民;高相东;于伟东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L31/103;H01S5/327 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用喷雾热解法，通过氮和铟的共掺杂，制备p－型氧化锌薄膜材料，通过掺杂铟制备低阻n－型氧化锌薄膜材料，从而制得ZnO同质结p－n结的方法。在该方法中，通过向先驱体溶液中添加适量的含氮和含铟掺杂剂，经超声雾化热解反应制备p－型氧化锌薄膜，通过向先驱体溶液中添加适量的铟掺杂剂，经超声雾化热解反应制备低阻n－型氧化锌薄膜。在不同的材料表面上，先后生长p－型(或n－型)和n－型(或p－型)ZnO薄膜即可制得ZnO同质结p－n结。通过控制先驱体溶液浓度及配比、衬底温度、成膜气氛及雾化气量可实现对制得ZnO同质结p－n结电学性能的控制，以满足制备氧化锌基发光二极管(LEDs)，激光二极管(LDs)等光电子器件方面的需要。该法工艺简单易行，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化锌 同质 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种氧化锌同质结p-n结材料，其特征在于包括p-型ZnO薄膜和n-型ZnO薄膜，p-型ZnO薄膜的厚度0.3～1μm，其中氮的原子浓度百分比为2～8％，铟的原子浓度百分比为0.5～5％；n-型ZnO薄膜的厚度为0.3～1μm，铟的原子浓度百分比0.5～5％。
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