[发明专利]一种减小热载流子效应的I/O NMOS器件无效
| 申请号： | 200310109226.7 | 申请日： | 2003-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1627532A | 公开（公告）日： | 2005-06-15 |
| 发明（设计）人： | 钱文生;那炜;郭永芳;肖胜安;姚泽强 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明有关一种减小热载流子效应的I/O NMOS器件，其包括硅衬底、衬底的上部两侧具有源区及漏区、硅衬底的中间部上方处具有栅氧化层，栅氧化层上具有多晶硅层，多晶硅及栅氧化层的两侧具有侧墙，其特征在于：衬底的中间部位置比源区及漏区略高。由于采用以上设置，漏电压引起的沟道横向电场的峰值点就会远离沟道表面，有效减小热载流子向栅氧化层的注入，同时减小沟道内的峰值电场值，显著改善热载流子效应，提高器件寿命，从而保证器件的高可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减小 载流子 效应 nmos 器件 | ||
【主权项】：
1.一种用于减小热载流子效应的I/O NMOS器件，包括硅衬底、硅衬底的上部两侧具有源区及漏区、硅衬底的中间部上方处具有栅氧化层，栅氧化层上具有多晶硅层，多晶硅及栅氧化层的两侧具有侧墙，其特征在于：硅衬底在中间对应多晶硅层的部分比源区及漏区略高。
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