[发明专利]嵌位二极管结构（二）无效
| 申请号： | 200310109231.8 | 申请日： | 2003-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1627538A | 公开（公告）日： | 2005-06-15 |
| 发明（设计）人： | 徐向明 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/866 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种嵌位二极管结构，在Pwell或Nwell上形成扩散区，该扩散区与隔离氧化区分离，并在所述扩散区与隔离氧化区之间加入LDD注入区使扩散区与隔离氧化区隔离。本发明可代替电压控制电路从而缩小面积，减小二极管BV的时间依存性，工艺上易于实现，成本低。适用于半导体集成电路及分离元器件，在EEPEOM或者Flash电路中可以取代稳压电路(BGR)。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 结构 | ||
【主权项】：
1.一种嵌位二极管结构，在Pwell或Nwell上形成扩散区，其特征在于：该扩散区与隔离氧化区分离，并在所述扩散区与隔离氧化区之间加入P-LDD注入区或N-LDD注入区。
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