[发明专利]OTP器件（五）无效
| 申请号： | 200310109233.7 | 申请日： | 2003-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1627526A | 公开（公告）日： | 2005-06-15 |
| 发明（设计）人： | 徐向明;胡晓明 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/00 | 分类号： | H01L29/00;H01L29/92;H01L27/02;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种OTP器件，将电容型晶体管直接做在衬底上。采用这样的结构，使本发明在普通逻辑工艺中，不追加任何光刻及工艺步骤的情况下，即可达到内藏高密度，高性能OTP器件的目的。本发明利用Native(本征)MOS电容结构的OTP器件不仅能大大缩小版图面积，同时达到提高耐压和提高有效电容效率等功效。 | ||
| 搜索关键词： | otp 器件 | ||
【主权项】：
1.一种OTP器件，包括电容型晶体管，其特征在于：将电容型晶体管直接做在衬底上。
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