[发明专利]嵌位二极管结构（四）有效
| 申请号： | 200310109237.5 | 申请日： | 2003-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1627539A | 公开（公告）日： | 2005-06-15 |
| 发明（设计）人： | 徐向明;李平梁 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种嵌位二极管结构，在N阱中做入两个反向连接的P－N－P二极管或在用N阱及掩埋型N阱隔离开的独立P阱中做入两个反向连接的N－P－N二极管。本发明可使电压控制电路的面积缩小，利用正反相接的二极管相反的温度系数来补偿，减小温度特性偏移，而且在一个器件中就得到实现。工艺上易于实现，成本低。适用于半导体集成电路及分离元器件，在普通逻辑、EEPEOM或者Flash电路中可以取代稳压电路(BGR)。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 结构 | ||
【主权项】：
1.一种嵌位二极管结构，其特征在于：在N阱中做入两个反向连接的P-N-P二极管或在用N阱及掩埋型N阱隔离开的独立P阱中做入两个反向连接的N-P-N二极管。
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