[发明专利]深亚微米CMOS源漏制造技术中的工艺集成方法无效
| 申请号： | 200310109455.9 | 申请日： | 2003-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN1547255A | 公开（公告）日： | 2004-11-17 |
| 发明（设计）人： | 周伟 | 申请（专利权）人： | 上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 滕怀流;陶金龙 |
| 地址： | 200020上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成电路亚微米源漏制造技术中的工艺集成方法。0.09μm至0.13μmCMOS制造工艺采用LDD，附加边墙，MDD，边墙，HDD三结结构，在附加边墙形成前后分别对NMOS和PMOS注入一定剂量和能量的N型和P型杂质，在高掺杂注入后使用RTP高温快速退火，以保证晶体管的栅耗尽特性。本发明主要是减小退火敏感性对晶体管特性的影响，提高工艺的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 微米 cmos 制造 技术 中的 工艺 集成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路深亚微米源漏制造技术中的工艺集成方法，其特征在于：在NMOS和PMOS晶体管多晶图形定义完成之后，在附加边墙形成以前，分别引入NMOS和PMOS轻掺杂源漏(LDD)离子的注入，记为离子注入1a和1b；在附加边墙形成以后，分别引入NMOS和PMOS中掺杂源漏(MDD)离子的注入，记为离子注入2a和2b；晶体管边墙形成以后，在边墙两侧源漏区域引入重掺杂源漏(HDD)离子的注入，记为离子注入3a和3b；上述掺杂注入后，对晶片进行快速退火，以保证晶体管的栅耗尽特性能满足要求。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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