[发明专利]一种防止旁瓣被刻蚀转移到衬底的方法无效
| 申请号： | 200310109456.3 | 申请日： | 2003-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN1547241A | 公开（公告）日： | 2004-11-17 |
| 发明（设计）人： | 肖慧敏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 滕怀流;陶金龙 |
| 地址： | 200020上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在先进的半导体制造工艺中，移相掩膜的使用越来越广泛。尤其在接触孔光刻方面，弱化移相掩膜已经成为0.18μm及以下技术节点中通用的解决方案。但与弱化移相掩膜伴生的旁瓣往往在刻蚀过程中被转移到衬底，导致不该开孔的地方孔被开出，制约了工艺窗口。本发明通过光刻胶回流防止旁瓣被刻蚀转移到衬底。其方法是在接触孔光刻后刻蚀前加一步烘烤，并控制合适的烘烤温度和时间使得光刻胶发生流动，从而将旁瓣填平，使旁瓣不因胶被刻透而转移到衬底上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 旁瓣被 刻蚀 转移 衬底 方法 | ||
【主权项】：
1、一种防止旁瓣被刻蚀转移到衬底的方法，其特征在于在接触孔光刻后、刻蚀前增加一步烘烤，并通过调整光刻胶烘烤温度和时间来控制光刻胶流动的程度，以填平旁瓣而不影响正常孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司，未经上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200310109456.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：带有汇流电极的场发射阴极
- 下一篇：一种面向网格的监控系统及方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
