[发明专利]闪烁存储器控制栅堆积结构的侧壁形成工艺无效
| 申请号： | 200310109458.2 | 申请日： | 2003-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN1547253A | 公开（公告）日： | 2004-11-17 |
| 发明（设计）人： | 王刘坤 | 申请（专利权）人： | 上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/8239;H01L21/285;H01L21/314;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 滕怀流;陶金龙 |
| 地址： | 200020上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路(IC)制造工艺技术领域，具体涉及一种用于制造闪烁存储器的控制栅堆积结构侧壁形成工艺。在部分重叠双栅闪烁存储器工艺制造中，控制栅堆积结构侧壁形成工艺步骤：进行预清洗，二氧化硅介质淀积，然后进行回刻蚀。上述工艺存在许多缺点。本发明提出了一种改进的控制栅堆积结构侧壁形成工艺，具体是在控制栅刻蚀形成后，先进行预清洗，然后淀积氧化膜和氮化硅双层介质，再进行侧壁刻蚀氮化硅，保留氧化膜。本发明提高了工艺稳定性和成品率，并使存储器的擦写周期数和数据保持寿命等器件可靠性有了很大的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 闪烁 存储器 控制 堆积 结构 侧壁 形成 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种闪烁存储器控制栅堆积结构的侧壁形成工艺，其特征是：侧壁介质淀积为由氧化膜和氮化硅膜构成的双层介质结构，具体步骤是在控制栅堆积结构形成后：(1)进行典型RCA两步预清洗；(2)采用硅烷-N2O气体源进行LPCVD侧壁氧化膜SiO2淀积；(3)采用二氯二氢硅-氨气体源进行LPCVD侧壁氮化硅膜Si3N4淀积；(4)进行侧壁回刻蚀氮化硅膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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