[发明专利]解决湿法剥离氮化硅薄膜新的清洗溶液无效
| 申请号： | 200310109459.7 | 申请日： | 2003-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN1546627A | 公开（公告）日： | 2004-11-17 |
| 发明（设计）人： | 王刘坤 | 申请（专利权）人： | 上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | C11D7/32 | 分类号： | C11D7/32;H01L23/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 滕怀流;陶金龙 |
| 地址： | 200020上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路制造工艺技术领域，具体涉及一种新的清洗溶液以解决湿法剥离氮化硅薄膜存在问题。通常采用加热的磷酸作为腐蚀剂剥离氮化硅薄膜，它具有对二氧化硅最高腐蚀选择性优点。然而，这种工艺也存在缺点，即表面颗粒增加和残余磷沾污问题。因此，本发明在磷酸湿法剥离氮化硅薄膜后，采用由氨水、双氧水、超纯水、TMAH、CDTA按适当配比组成的清洗溶液，使用兆声扰动技术进行清洗，去除表面颗粒和残余磷杂质沾污，获得良好效果。 | ||
| 搜索关键词： | 解决 湿法 剥离 氮化 薄膜 清洗 溶液 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路工艺制造中用的清洗溶液，其特征是：该清洗溶液由氨水、双氧水、超纯水、四甲基氢氧化胺和络合试剂CDTA组成，其中氨水、双氧水和超纯水的体积比为1∶(2-4)∶(20-40)，四甲基氢氧化胺(2.38％)含量为总重量的(0.2-0.04)％，CDTA含量为5-100ppm。
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