[发明专利]CMOS制造中改进热载流子效应的工艺集成方法无效
| 申请号： | 200310109460.X | 申请日： | 2003-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN1547256A | 公开（公告）日： | 2004-11-17 |
| 发明（设计）人： | 王炜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/31;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 滕怀流;陶金龙 |
| 地址： | 200020上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超大规模集成电路CMOS制造中改善热载流子效应的工艺集成方法。通过在栅氧化工艺前及晶体管栅多晶图形定义完成后分别增加热氧化工艺，可以有效减少栅氧化层内的界面陷阱，特别是漏端靠近多晶边缘的氧化层界面陷阱，从而降低热载流子在栅氧内被捕获的几率，改善热载流子效应。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 制造 改进 载流子 效应 工艺 集成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种超大规模集成电路CMOS制造中改进热载流子效应的工艺集成方法，其特征是：在栅氧化工艺前增加热氧化工艺，生长一氧化层，再用湿法腐蚀的方法将氧化层去除；在晶体管栅多晶图定义完成之后，进行热氧化工艺，生长一氧化层，该氧化层在晶体管漏源工艺前不被去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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