[发明专利]一种镧锶银锰氧化物磁电阻材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200310109661.X | 申请日： | 2003-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN1545150A | 公开（公告）日： | 2004-11-10 |
| 发明（设计）人： | 唐贵德;刘兴民;刘力虎;赵旭;郝普;陈伟;侯登录;聂向富 | 申请（专利权）人： | 河北师范大学 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/12;C04B35/00 |
| 代理公司： | 石家庄新世纪专利事务有限公司 | 代理人： | 董金国 |
| 地址： | 050016河北省石家庄*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁电阻材料及其制备方法，特别是一种镧锶银锰氧化物磁电阻材料及其制备方法。该磁电阻材料的分子式为LaxSryAgZMnO3，其中0.6≤x≤0.7，0.1≤y≤0.16，z≤1－x－y，主要采用溶胶－凝胶法，在LaxSryMnO3的Sr位掺杂银元素。本发明解决了现有技术中存在的磁场灵敏度低、温区不合适、温区窄、磁电阻在室温附近随温度变化大等缺点，具有在室温状态下，该磁电阻材料磁电阻达到峰值且随温度的变化小、磁场灵敏度较高、磁电阻数值大等特点，且该制备方法工艺简单、反应温度低、所制备的产品性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 镧锶银锰 氧化物 磁电 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种镧锶银锰氧化物磁电阻材料，其特征在于该磁电阻材料的分子式为LaxSryAgzMnO3，其中0.6≤x≤0.7，0.1≤y≤0.16，z≤1-x-y。
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