[发明专利]具有轻掺杂漏区/偏移区（LDD/OFFSET）结构的薄膜晶体管有效
| 申请号： | 200310109779.2 | 申请日： | 2003-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN1512596A | 公开（公告）日： | 2004-07-14 |
| 发明（设计）人： | 朴志容;李基龙;朴惠香 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/136;G09F9/30 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)，包含轻掺杂漏区(LDD)或偏移区，其中，形成薄膜晶体管，以便多晶硅衬底中的主晶粒边界不位于轻掺杂漏区(LDD)或偏移区中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掺杂 偏移 ldd offset 结构 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管(TFT)，包括轻掺杂漏区(LDD)或偏移区，其中，薄膜晶体管形成为使得多晶硅衬底的主晶粒边界不位于LDD区或偏移区。
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