[发明专利]含铽多晶Ni－Mn－Ga磁性形状记忆合金无效
| 申请号： | 200310109804.7 | 申请日： | 2003-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1554787A | 公开（公告）日： | 2004-12-15 |
| 发明（设计）人： | 赵增祺;江丽萍;吴双霞;王方恕;熊玮;王强;黄继民;周永勃 | 申请（专利权）人： | 包头稀土研究院 |
| 主分类号： | C22C19/03 | 分类号： | C22C19/03;C22C30/00;//C22F1:00 |
| 代理公司： | 包头市专利事务所 | 代理人： | 张少华 |
| 地址： | 014010内蒙古*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种含铽多晶Ni－Mn－Ga磁性形状记忆合金，属于合金材料领域，其特征是本发明的合金成分为Ni－Mn－Ga－Tb，其中：Ni的成分范围为45－55(at)％，Mn为18－32(at)％，Ga为16－32(at)％，Tb为0.01－5(at)％。其优点是通过添加稀土元素Tb，使材料的抗弯强度提高2－6倍，同时使材料的晶粒得到细化。在特定应力状态下材料的磁感生应变可达6000－12000ppm。材料的可加工性能大大提高，实用性增强。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 ni mn ga 磁性 形状 记忆 合金 | ||
【主权项】：
1、一种含铽多晶Ni-Mn-Ga磁性形状记忆合金，其特征是合金成份为Ni-Mn-Ga-Tb，其中：Ni的成分范围为45-55(at)％，Mn为18-32(at)％，Ga为16-32(at)％，Tb为0.01-5(at)％。
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