[发明专利]一种避免漩涡效应缺陷的方法有效
| 申请号： | 200310109860.0 | 申请日： | 2003-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1635613A | 公开（公告）日： | 2005-07-06 |
| 发明（设计）人： | 张开军;孙日辉;徐根保;倪百兵 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海隆天新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 竺明;谢晋光 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种避免漩涡效应缺陷(swirl defect)的方法，包括步骤：以物理气相沉积法(PVD)形成铜种子层(seeding layer)于一底材之上；将形成的铜种子层储存于POD之中以阻隔氧气或其它有机气体与铜反应；将该底材加载一旋转装置中于进行干旋转(于空气中旋转)；以化学电镀(electrical chemicalplating)技术在该PVD种子层(seeding layer)上形成所要厚度的铜薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 避免 漩涡 效应 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种避免漩涡效应缺陷的方法，包括如下步骤：以物理气相沉积法形成铜种子层于一底材之上；将该底材加载一旋转装置中以进行干旋转；以及以化学电镀技术在该种子层上形成所要厚度的铜薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
