[发明专利]铜熔体过滤脱氧工艺无效
| 申请号： | 200310109883.1 | 申请日： | 2003-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1555944A | 公开（公告）日： | 2004-12-22 |
| 发明（设计）人： | 孙宝德;高海燕;倪红军 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | B22D11/119 | 分类号： | B22D11/119;C22B9/02;C22B15/14 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种铜熔体过滤脱氧工艺，属于金属冶炼领域。本发明在水平连铸或上引连铸工艺中，将铜熔体过滤脱氧装置安装于保温炉中，使过滤器有孔的侧面对准连接熔炼炉和保温炉的流槽，熔炼炉内流出的熔体全部进入过滤器彻底脱氧，采用石墨或碳化硅结合氮化硅陶瓷作为过滤箱材料，选用的木炭粒度范围为30～50mm，选用的过滤时间为10～60s，熔体中氧含量降至5ppm以下。本发明在不污染熔体的前提下，采用过滤熔体的方法，迅速降低熔体含氧量，达到稳定生产无氧铜的要求，而且装置简单，成本低廉，无污染。 | ||
| 搜索关键词： | 铜熔体 过滤 脱氧 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种铜熔体过滤脱氧工艺，其特征在于，在水平连铸或上引连铸工艺中，将铜熔体过滤脱氧装置安装于保温炉中，使过滤器有孔的侧面对准连接熔炼炉和保温炉的流槽，熔炼炉内流出的熔体全部进入过滤器彻底脱氧，采用石墨或碳化硅结合氮化硅陶瓷作为过滤箱材料，选用的过滤时间为10～60s，熔体中氧含量降至5ppm以下。
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