[发明专利]含有修饰层的有机薄膜晶体管器件及其加工方法有效
| 申请号： | 200310110049.4 | 申请日： | 2003-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1545153A | 公开（公告）日： | 2004-11-10 |
| 发明（设计）人： | 闫东航;王军;张吉东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 主分类号： | H01L51/20 | 分类号： | H01L51/20;H01L51/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种源/漏电极与栅绝缘层间含有修饰层的有机薄膜晶体管器件及其制作方法。在源/漏电极和栅绝缘层之间引入修饰层。它既可以增大器件的开态电流又可以减小栅/源、栅/漏之间漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 修饰 有机 薄膜晶体管 器件 及其 加工 方法 | ||
【主权项】：
1、一种源/漏电极与栅绝缘层间含有修饰层的有机薄膜晶体管器件，由(1)-衬底，(2)-栅极，(3)-栅绝缘层，(4)-修饰层，(5)-源极，(6)-漏极，(7)-有机半导体层组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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